研究開発

学会発表一覧

応用物理学会

TaN用新規MOCVD材料Ta(NtAm)(NMe2)3の物性

Properties of a new tantalum nitride source Ta(NtAm)(NMe2)3 for MOCVD

はじめに

半導体装置の銅薄膜を形成する際の下地バリアとして、TaN膜が有効であることが知られている。H. T. Chiuらは、Ta(NtBu)(NEt2)3<Ta(NtC4H9)(N(C2H5)2)3 ターシャリーブチルイミドトリス(ジエチルアミド)タンタル>を合成し、その化合物を用いたMOCVDにより、良好なTaN薄膜が得られたことを報告している1)
今回我々はTa=N結合を持ち、Ta(NtBu)(NEt2)3よりも低分子量であり、高い蒸気圧を持つと期待される未公知のTa化合物、Ta(NtAm)(NMe2)3<Ta(NtC5H11)(N(CH3)2)3 ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)タンタル>を合成し、その物性について調べたので報告する。

実験及び結果

Ta(NtAm)(NMe2)3 は80℃/1Torrの蒸留で得た融点36℃の淡黄色固体である。Ta含量は45.9wt%(理論値45.4wt%)であり、1H-NMR、EI-MS、FT-IRによりその構造を確認した。

またトルエン、オクタンに易溶であった。TG-DTAでは単調な重量減少カーブがみられ、蒸発残も450℃で13%と少なかった。以上より、本化合物はTaN膜をMOCVD法にて形成するのに適していると考えられる。

1).Hien-Tien Chiu et al.,Appl.Phys.Lett.,67(8)1128(1995)


第48回春応物予稿集P873(2001)