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応用物理学会

Ti用新規MOCVD材料Ti(OiPr)2(dibm)2の蒸気圧

Vapor Pressure of Ti(OiPr)2(dibm)2 for MOCVD

はじめに

高誘電率ゲート絶縁膜用の材料として、HfO2やHfSiO4、さらにNを添加したものが検討されている。 またその成膜方法としてALD法が注目されている。 前回までに上記薄膜用材料として、Hf[N(CH392]4やHf(O-t-C4H9)4を取り上げ、これらの物性について報告した1),2)。 今回は新たにHf[N(C2H5)CH3]4<テトラキス(エチルメチルアミノ)ハフニウム>を合成し、その物性を調べたので報告する。

実験及び結果

PZT薄膜のTi原料化合物として、溶液気化法ではTi(OiPr)2(dpm)2<Ti(O-i-C3H7)2(C11H19O2)2>が主に用いられている。 しかし低温成膜の場合、堆積温度がPb(dpm)2やZr(OiPr)(dpm)3に比べて高いため、膜にTiが入りにくいという問題があった。そこで、融点の低いTi(OiPr)2(dibm)2<Ti(O-i-C3H7)2(C9H15O2)2 ジイソプロポキシビス(ジイソブチリルメタナト)チタン>を合成した。 本化合物は公知化合物であるが、その物性やCVDによる評価の報告は今までなかった。熱分析の結果、Ti(OiPr)2(dpm)2より低温で熱分解したことから、TiO2の堆積温度も低いと推定される。 本化合物の蒸気圧をはじめとする各種物性を調べたので報告する。

Ti(OiPr)2(dibm)2
(昇華)Log10P =-6719/T+16.56
(蒸発)Log10P =-4622/T+11.10
Ti(OiPr)2(dpm)2
(昇華)Log10P =-5435/T+12.73
P :Torr T :K

1)第49回応用物理学関係連合会予稿集,p.822,28p-A-16(2002.3)
2)第63回応用物理学会学術講演会予稿集,p.722, 25a-C-8 (2002.9)


第50回春応物予稿集P601(2003)