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応用物理学会

TaN用新規MOCVD材料Ta(N-t-C5H11)[N(CH3)2]3の物性(3)

Properties of a new tantalum nitride source Ta(N-t-C5H11)[N(CH323 for MOCVD

はじめに

半導体装置の銅薄膜を形成する際の下地バリアとして、TaN膜が有効であることが知られている。 過去我々は、Ta=N結合を持つ新規MOCVD材料Ta(N-t-C5H11)[N(CH323<ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)タンタル;Taimata>が融点36℃の単量体であり、 その蒸気圧が Log10P=-3233/T +8.67 で、61℃/0.1Torrであること、動粘性率は1.8cSt/75℃さらさらの液体であること、 発生ガス圧力から求めた100℃における熱分解速度は、9.0X10−3%/hrであることを報告した1),2)。 今回は、Taimataの熱に対する物性、分解過程について調べたので報告する。

実験及び結果

Taimataを減圧下、恒温漕により24時間加熱後の試料を蒸留回収し、分解率を求めた。
その結果、100℃における熱分解速度は0.15%/hrであった。
発生ガス圧力により求めた値が非常に低いのは、装置内にガスが吸着したためと考えられる。
TaimataのEI−MSスペクトルを測定した結果、親イオンピークの他にメチル基やエチル基が脱離したピークが観測され、分解過程の一部が推測された。

1)第48回応用物理学関係連合会予稿集,p.873,29p-YG-7(2001.3)
2)第62回応用物理学会学術講演会予稿集,p.660,14a-X-8(2001.9)


第64回秋応物予稿集P747(2003)