製品案内

ウェハー販売

ラジアント・テクノロジー社では、Pt下部電極付き及び、PZT、PLZT、PZTN等の強誘電体を薄膜コーティングした各種Siウェハーを販売しております。
ラジアント・テクノロジー社では長い成膜実績と経験を有し、電極・強誘電体成膜、ダイシングまでの一連の作業を行っております。

ニューメキシコ大学内のクリーンルーム

ニューメキシコ大学内のクリーンルーム

掲載されていない強誘電体薄膜のみや上部電極のみ、下部電極のみの作製等も可能です。
お客様が作製した下部電極上にPZTなどの強誘電体を成膜することも可能です。
また、写真のようにマスクを使用した特殊形状の成膜も行っております。

上部電極付き強誘電体テストチップ

上部電極付き強誘電体テストチップ

Pt電極付きSiウェハー

PZT成膜時の高温に耐えうる用に設計された白金電極付きSiウェハーです。
4インチのSiウェハーで最小単位は5枚から販売を行っております。


作成可能なウェハーの一例


表 ラジアント社製 Pt下部電極付き・強誘電体薄膜付ウェハー
詳細 数量
Pt下部電極のみ 4インチ 最小単位5枚から
4/52/48 PLZT Wafer - 電極なし 最小単位1枚から
4/20/80 PNZT Wafer - 電極なし 最小単位1枚から
0/20/80 PZT Wafer - 電極なし 最小単位1枚から
9/65/35 PLZT Wafers- 電極なし 最小単位1枚から
15/0/100 PLZT Wafers - 電極なし 最小単位1枚から
4/52/48 PLZT Wafer - 上部・下部電極付き 最小単位1枚から
4/20/80 PNZT Wafer - 上部・下部電極付き 最小単位1枚から
0/20/80 PZT Wafer - 上部・下部電極付き 最小単位1枚から
9/65/35 PLZT Wafer - 上部・下部電極付き 最小単位1枚から
15/0/100 PLZT Wafer - 上部・下部電極付き 最小単位1枚から
4/52/48 PLZT Wafer - 上部・下部電極付き 最小単位1枚から
4/20/80 PNZT Wafer - 上部・下部電極付き
金パターニング、PZTパターン
最小単位1枚から
0/20/80 PZT Wafer - 上部・下部電極付き
金パターニング、PZTパターン
最小単位1枚から
9/65/35 PLZT Wafer - 上部・下部電極付き
金パターニング、PZTパターン
最小単位1枚から
15/0/100 PLZT Wafer - 上部・下部電極付き
金パターニング、PZTパターン
最小単位1枚から
納期・価格は強誘電体成分の構成、電極の組み合わせ等により変動します


強誘電体・圧電体MEMSデバイス作製・販売


ラジアント・テクノロジー社では、長年の強誘電体薄膜作製のノウハウを生かし、強誘電体・圧電体MEMSデバイス作製を行っております。強誘電体・圧電体を使用した特異なデバイス作製をサポートいたします。 以下の写真はPZTを用いた圧電デバイスの一例です。上部、下部電極、保護膜のパターンマスクを使用したデバイス作製も実績がございます。ご不明な点がございましたら、お問い合わせ頂ければと思います。

ピエゾミラー

ピエゾミラー。デバイスの一例として。