インフォメーション

2010年度以前


2010年9月 硫化物・窒化物材料
2010年7月 ランタゲン® ランタン イソプロポキシド オキシド
2010年1月 新工場竣工のお知らせ
2009年12月 化合物薄膜太陽電池用ターゲット
2009年5月 溶融品Co系ホイスラー合金ターゲットの大型化に成功
2009年3月 ブルカイト型Ti02
2008年9月 EtCp(シクロペンタジエニル)錯体
2008年6月 新工場建設に関するお知らせ
2008年6月 DCスパッタ用酸化ニオブ(NbOx)ターゲット
2008年5月 高密度・高純度α型マンガン(Mn)ターゲット
2008年2月 高密度PVD材料
2007年11月 硫化物蛍光体材料
2007年6月 Sr[C5(CH3)5]2
2006年12月 Lanthagen-tmsa-Gd
2006年9月 代表取締役社長就任のご挨拶
2006年9月 代表取締役社長退任のご挨拶
2006年4月 即納対応品のご案内
2005年4月 東松山工場 MOCVD材料棟の操業開始
2005年1月 MgO 4N ターゲット
2004年10月 バリウムチオアルミネート
2004年7月 トリス(sec-ブトキシ)アルミニウム
2004年3月 TaN膜用新規材料 Taimata タイマータ
2004年3月 硫化物及び複合硫化物類
2004年1月 バッキングプレート
2003年9月 LiTaO3薄膜用新規MOCVD材料
2003年7月 高純度FeSi2スパッタリングターゲット
2003年6月 窒化ハフニウムターゲット
2003年5月 PZT低温成膜用Ti化合物
2003年3月 不斉合成用希土類化合物 ランタゲン
2003年2月 DVD反射膜用Ag合金ターゲット
2002年11月 溶融製低酸素Ir-Mnターゲット
2002年10月 イオン打ち込み用ソリッドソース
2002年7月 高純度化学のMRAM用材料
2002年7月 パーティクルフリー WO3 タブレット
2002年5月 高純度化学研究所のゲート絶縁膜用ALD材料
2002年5月 高純度コバルト化合物
2002年3月 Co系ホイスラー合金ターゲット
2002年1月 各種コート材料
2001年12月 高純度Co及びCo合金系ターゲット
2000年12月 粉末無電解メッキ加工
2000年11月 高密度SrRuOxスパッタリングターゲット
2000年6月 EtCp(シクロペンタジエニル)錯体